2SA1215 PNP силовой транзистор 160 V, 15 A (MT-200)
Part Number: 2SA1215
Описание
PNP биполярный силовой транзистор ALLEGRO MICROSYSTEMS 2SA1215: 160 V, 15 A, 150 W, корпус MT-200.
ALLEGRO MICROSYSTEMS 2SA1215 — PNP биполярный силовой транзистор. Номинальное напряжение пробоя коллектор‑эмиттер V(BR)CEO = 160 V, максимальный коллекторный ток IC = 15 A и допустимая рассеиваемая мощность PC = 150 W (Tc = 25 °C). Корпус MT-200 (фланцевый монтаж) обеспечивает эффективный теплоотвод. Типичный коэффициент усиления hFE ≥50 (ранги O/P/Y приведены в спецификации).
Технические характеристики
| Производитель | ALLEGRO MICROSYSTEMS |
|---|---|
| Part Number | 2SA1215 |
| Тип оборудования | PNP биполярный силовой транзистор (BJT) |
| Тип / Полярность | Silicon PNP epitaxial planar |
| Напряжение пробоя коллектор‑эмиттер V(BR)CEO (IC = −25 mA) | 160 V |
| Напряжение пробоя коллектор‑база VCBO | 160 V |
| Напряжение пробоя эмиттер‑база VEBO | 5 V |
| Максимальный коллекторный ток IC | 15 A |
| Максимальная рассеиваемая мощность PC (Tc = 25°C) | 150 W |
| Частота среза fT (тип.) | 50 MHz |
| Коэффициент усиления по току hFE (при VCE = −4 V, IC = −5 A) | ≥50 (см. ранги hFE: O 50–100, P 70–140, Y 90–180) |
| Напряжение насыщения коллектор‑эмиттер VCE(sat) (IC = −5 A, IB = −0.5 A) | ≤2.0 V |
| Ток утечки коллектора ICBO (VCB = −160 V) | ≤100 µA |
| Ток утечки эмиттера IEBO (VEB = −5 V) | ≤100 µA |
| Емкость коллектор‑база COB (VCB = −10 V, f = 1 MHz) | ≈400 pF |
| Максимальная температура перехода Tj | 150 °C |
| Температура хранения Tstg | -55 to +150 °C |
| Корпус / Пакет | MT-200 (фланцевый монтаж, 3‑контактный) |
| Масса (примерно) | 18.4 g |
Характеристики
- Производитель
- ALLEGRO MICROSYSTEMS